Name: onsemi NTR3162PT3G
Brand: onsemi
SKU: NTR3162PT3G
Availability: InStock
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onsemi NTR3162PT3G

Artikelnummer:

NTR3162PT3G

Hersteller / Marke:

AMI Semiconductor/onsemi

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Datenblätte:

1.NTR3162PT3G.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Multiple Devices 01/Jul/2009.pdf onsemi RoHS.pdf Copper Wire 26/May/2009.pdf NTR3162P.pdf

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Lead free / RoHs compliant

ECAD -Modell:

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Versandweg:

DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS

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Spezifikationen
Einkaufshandbuch
Versandinformationen
Verpackung

~~onsemi NTR3162PT3G Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments NTR3162PT3G.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 2.2A, 4.5V
Verlustleistung (max)	480mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	940 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.3 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	2.2A (Ta)
Grundproduktnummer	NTR316
NTR3162PT3G Einzelheiten PDF [English]	NTR3162PT3G PDF - EN.pdf

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- Originalrechnungsnummer
- Foto der Teile
- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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